Galaxy S9 будут иметь рекордный объем памяти

Корейская корпорация является локомотивом многих отраслей мировой экономики, начиная от автомобилей и заканчивая космическими спутниками. Производителя отличает огромная научная база и отделы разработчиков, которые зачастую создают невиданные до этого момента технологии. Так, буквально несколько дней назад компания выступила с официальным заявлением. Она отчиталась, что закончила цикл разработок и наладила производство модулей памяти формата eUFS объемом в 512 гигабайт.

Важность данного момента заключается в том, что до сегодняшнего дня ни один производитель не выпускал память данного формата в таком объеме. Кроме того, корпорация официально заявила, что в ближайшее время начнет внедрять данные модули памяти в свои новые мобильные устройства. Скорее всего, первым подобным смартфоном станет грядущий флагман Samsung Galaxy S9.

Корпус нового модуля будет такого же размера, как и для 256 гигабайт. Скорость передачи данных нового чипа тоже впечатляет, чтение на уровне 850 Мегабит/секунду, а запись на уровне 250 Мегабит/секунду. Это в десять раз быстрее скорости стандартных карт памяти.Такой объем модуля позволит хранить пользователям в десятки раз больше информации на своих устройствах, чем это происходит сегодня. Компания планирует постепенно наращивать объемы производства нового объемного модуля, а также кратно расширять выпуск чипов на 256 гигабайт. Потому следует ожидать, что в ближайшие годы корейский вендор откажется от выпуска моделей с 16, 32 гигабайтами пользовательской памяти.Конечно же, первопроходцами будут флагманские модели. Для того же Galaxy S9 с его самым топовым процессором Snapdragon 845 от Qualcomm и экраном диагональю 5.77 дюйма, будет под стать такой поистине гигантский объем встроенной памяти.