На флагманах Samsung будет установлено 512 Гб

Как известно, Samsung охватывает огромную долю на рынке мобильных устройств и стремится увеличивать ее и дальше. Для этого компания постоянно совершенствует свои смартфоны, чтобы сделать их более конкурентоспособными. Еще недавно встроенная память смартфонов Samsung достигала не более чем 256 Гб, но недавно представители компании рассказали, что флагманы следующего года будут оснащены чипами 512 Гб.Уже сейчас Samsung начинает производство флеш-памяти eUFS, которая затем будет использована при производстве смартфонов. Максимальный объем ее модулей может достигать 512 Гб. Большинство таких модулей будет установлено на более дорогих смартфонах от данной компании.

Вставьте сюда ваш текст или добавьте ещё текстовые блоки. Вы можете добавлять сколько угодно текстовых блоков, заголовков, фотографий и фраз.

Особенности памяти на 512 Гб от Samsung

Модули памяти eUFS построены на основе чипа контроллера и восьми чипов V-NAND. Это дает возможность двукратно увеличить плотность микросхем и емкость памяти. Также это позволит увеличить производительность работы флагманских смартфонов и прочих устройств компании.

Также Samsung работает над внедрением технологий для того, чтобы улучшить энергоэффективность и скорость работы своих устройств. Схема модулей памяти и управление организовано так, чтобы потреблять намного меньше энергии при выполнении даже сложных вычислений. Хранилище eUFS на 512 Гб позволяет сделать процесс сопоставления и выполнение остальных задач более быстрым, чем раньше.

Чипы eUFS дают не только увеличенную память, но также улучшенную скорость чтения и записи данных. Они могут быть в 8 раз быстрее, чем обычные карты памяти MicroSD. Это делает более удобной работу с большими файлами и потоковым видео. Пока неизвестно,какие из смартфонов от Samsung получат именно такие модули памяти. Чтобы узнать такую информацию, покупателям нужно просто следить за анонсами и обновлениями от Samsung